难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，韩国方面已难言高枕无忧。认为两者之间存在约6年的时差。长期可靠性与客户认证约为3年。就能把这些收益再投入先进产品研发。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。白瑞仁表示，成本、中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

9月28日消息，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，追赶节奏明显加快，实际生态差距为4至5年。崔正东称，应先对DDR4、原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。